Disco Duro SSD Samsung 990 EVO Plus 4TB Samsung V NAND TLC NAND PCIe Gen 4 x4 y Gen 5 x2 M.2
Disco Duro SSD Samsung 990 EVO Plus 4TB Samsung V NAND TLC NAND PCIe Gen 4 x4 y Gen 5 x2 M.2
Sobre este producto
🚀 Velocidad extrema para rendimiento sin límites. El Samsung 990 EVO Plus 4TB ofrece velocidades de hasta 7,250MB/s en lectura y 6,300MB/s en escritura, brindando una respuesta ultrarrápida en cualquier tarea.
💾 Almacenamiento de alto nivel. Sus 4TB de capacidad permiten guardar grandes volúmenes de datos, juegos AAA y archivos pesados, ideal para profesionales y gamers exigentes.
⚡ Compatibilidad con PCIe Gen 4 y 5. Soporta PCIe Gen 4 x4 y Gen 5 x2, asegurando máximo desempeño en equipos modernos y compatibilidad con futuras actualizaciones.
🔋 Eficiencia y durabilidad aseguradas. Diseñado con tecnología Samsung V-NAND TLC, ofrece una vida útil de hasta 2,400 TBW, optimizando el consumo de energía sin sacrificar rendimiento.
🖥️ Ideal para creadores de contenido y entusiastas del gaming. Acelera la carga de programas de edición de video, modelado 3D y videojuegos sin interrupciones.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S4T0B/AM |
| Capacidad | 4TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,250MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,300MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,050,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Durabilidad | 2,400 TBW |
| Consumo energético | 5.5W en lectura / 4.8W en escritura |
| Dimensiones de la caja | 16.5 x 2.5 x 10.1 cm |
Más imágenes
Disco Duro SSD Samsung 990 EVO Plus 4TB Samsung V NAND TLC NAND PCIe Gen 4 x4 y Gen 5 x2 M.2
Sobre este producto
🚀 Velocidad extrema para rendimiento sin límites. El Samsung 990 EVO Plus 4TB ofrece velocidades de hasta 7,250MB/s en lectura y 6,300MB/s en escritura, brindando una respuesta ultrarrápida en cualquier tarea.
💾 Almacenamiento de alto nivel. Sus 4TB de capacidad permiten guardar grandes volúmenes de datos, juegos AAA y archivos pesados, ideal para profesionales y gamers exigentes.
⚡ Compatibilidad con PCIe Gen 4 y 5. Soporta PCIe Gen 4 x4 y Gen 5 x2, asegurando máximo desempeño en equipos modernos y compatibilidad con futuras actualizaciones.
🔋 Eficiencia y durabilidad aseguradas. Diseñado con tecnología Samsung V-NAND TLC, ofrece una vida útil de hasta 2,400 TBW, optimizando el consumo de energía sin sacrificar rendimiento.
🖥️ Ideal para creadores de contenido y entusiastas del gaming. Acelera la carga de programas de edición de video, modelado 3D y videojuegos sin interrupciones.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S4T0B/AM |
| Capacidad | 4TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,250MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,300MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,050,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Durabilidad | 2,400 TBW |
| Consumo energético | 5.5W en lectura / 4.8W en escritura |
| Dimensiones de la caja | 16.5 x 2.5 x 10.1 cm |
Información del producto
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Envío y devoluciones
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Description
Sobre este producto
🚀 Velocidad extrema para rendimiento sin límites. El Samsung 990 EVO Plus 4TB ofrece velocidades de hasta 7,250MB/s en lectura y 6,300MB/s en escritura, brindando una respuesta ultrarrápida en cualquier tarea.
💾 Almacenamiento de alto nivel. Sus 4TB de capacidad permiten guardar grandes volúmenes de datos, juegos AAA y archivos pesados, ideal para profesionales y gamers exigentes.
⚡ Compatibilidad con PCIe Gen 4 y 5. Soporta PCIe Gen 4 x4 y Gen 5 x2, asegurando máximo desempeño en equipos modernos y compatibilidad con futuras actualizaciones.
🔋 Eficiencia y durabilidad aseguradas. Diseñado con tecnología Samsung V-NAND TLC, ofrece una vida útil de hasta 2,400 TBW, optimizando el consumo de energía sin sacrificar rendimiento.
🖥️ Ideal para creadores de contenido y entusiastas del gaming. Acelera la carga de programas de edición de video, modelado 3D y videojuegos sin interrupciones.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S4T0B/AM |
| Capacidad | 4TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,250MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,300MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,050,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Durabilidad | 2,400 TBW |
| Consumo energético | 5.5W en lectura / 4.8W en escritura |
| Dimensiones de la caja | 16.5 x 2.5 x 10.1 cm |
